mos管和三極管相比優(yōu)缺點(diǎn)

MOS的導(dǎo)通壓降下，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動(dòng)不需要電流，損耗小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，自帶保護(hù)二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，缺點(diǎn)開關(guān)速度不高，比較昂貴三極管開關(guān)速度高，大型三極管的Ic可以做的很大，缺點(diǎn)損耗大，驅(qū)動(dòng)復(fù)雜場(chǎng)效應(yīng)管與三級(jí)管的比較：
1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓操控元件，而三級(jí)管是電流操控元件；
2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱為單極性器件，而三級(jí)管既有多子，也有少子導(dǎo)電，稱之為雙極性器件；
3）場(chǎng)效應(yīng)管靈活性比三級(jí)管好；
4）場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路。
場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)操控電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被廣泛應(yīng)用。
FET和雙極型三極管相類似，電極對(duì)應(yīng)關(guān)系是b?G、e?S、c?D；由FET組成的擴(kuò)大電路也和三極管擴(kuò)大電路相類似，三極管擴(kuò)大電路基極回路需要一個(gè)偏置電流(偏流)，而FET擴(kuò)大電路的場(chǎng)效應(yīng)管柵極沒(méi)有電流，所以FET擴(kuò)大電路的柵極回路需要一個(gè)合適的偏置電壓(偏壓)。
FET組成的擴(kuò)大電路和三極管擴(kuò)大電路的主要區(qū)別在于：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓操控型器件，靠柵源之間的電壓變化來(lái)操控漏極電流的變化，擴(kuò)大作用以跨導(dǎo) 來(lái)體現(xiàn)；三極管是電流操控型器件，靠基極電流的變化來(lái)操控集電極電流的變化，擴(kuò)大作用由電流擴(kuò)大倍數(shù) 來(lái)體現(xiàn)。

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